消息称台积电(TSM.US)三星的3nm量产恐延期

原创 Kbet365  2021-01-02 12:51 

原标题:消息称台积电(TSM.US)三星的3nm量产恐延期 来源:半导体行业观察

半导体行业观察

本文来自 微信公众号“半导体行业观察”。

据媒体报道,业内消息人士称,台积电(TSM.US)和三星电子在各自的3nm制程技术开发中都遇到了不同但关键的瓶颈。

3nm的延期可能意味着,5nm节点的服役寿命将更长,同时会在英特尔(Intel,INTC.US)先进制程技术研发上预留更多时间,给予其更多喘息并追赶的机会,后者目前量产的最先进工艺是10nm,7nm的服务器产品将会在2022年推出。

实际上,5nm之后晶体管微缩的困难度就多了更大量级,碳纳米管、埃米还处于纸面预研阶段。

当然,由于还有一年多的时间,理论上台积电和三星还有时间解决问题,仍要保持乐观。

在台积电第26届技术研讨会上,台积电揭秘其3nm工艺节点的更多细节,并分享了5nm后续产品N5P和N4工艺节点的相关进展。

台积电在先进制程领先的道路上一往无前,计划3nm技术于2021年进入风险生产、在2022年开始量产,而英特尔的7nm预计最早推出也要到2022年末。

据介绍,相较5nm N5工艺,相同功耗下,台积电3nm N3性能可提高10-15%;相同性能下,N3功耗可降低25-30%;N3的逻辑密度、SRAM密度、模拟密度分别是N5的1.7倍、1.2倍、1.1倍。

媒体称,三星3nm的量产时间——2022年,这一时间点与台积电的计划保持一致。该公司去年公布“半导体愿景2030”,希望通过巨额投入在2030年超越台积电。

这家韩国厂商还希望在这方面取得更大优势,其3nm将采用Gate-All-Around(GAA)技术,这一技术可以更精确地控制通道间的电流,缩小芯片面积,降低功耗。

目前很难预测这两个代工厂的发展问题将产生什么影响。如果延迟将台积电和三星的量产推迟数周或数月,则最终客户可能不会产生过大的负面影响。另外,延期还有一个潜在影响是给Intel喘息并追赶的机会,后者目前量产的最先进工艺是10nm,其核心指标大约相当于台积电、三星的7nm,Intel的7nm将首发于服务器产品,2022年早些时候见。(编辑:肖顺兰)

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